半導体・デバイス開発の求人63件

【兵庫】小信号デバイスの製品開発エンジニア

年収450万円 - 1200万円
勤務地兵庫県

【仕事内容】 小信号デバイスや車載向けパワーデバイスなどのディスクリート半導体の開発部門です。開発業務の司令塔として製品企画、開発試作から量産立ち上げにおけるプロダクトマネジメント業務に従事いただきます。具体的にお任せする業務は以下の通りです。 ・デバイス設計、シミュレーション(TCAD) ・試作、性能評価、解析 ・関連会社と連携した量産立上業務 【募集背景】 東芝は創業以来140年以上もの長きに亘り、一貫して独自の技術開発を行い、その技術力で社会を、日本を、そして世界を豊かにしてきた企業です。 これまで積み重ねてきた「ものづくり」企業としての実績、信頼と実力を武器に、新たな時代の主役になっていくべく、事業運営・組織体制の強化が求められています。 カーボンニュートラルな未来に向けてエネルギーの効率的な利用を実現するため、社会インフラ機器や車載、産業、情報通信などあらゆる分野でディスクリート半導体の需要拡大が見込まれています。当社は300mmウェーハ対応の製造ラインの生産能力増強を中心とした事業の拡大を図るとともに、半導体製品を開発する人材を求めています。 当部門では産業、車載向けMOSFETの開発・設計をしています。小型化・低消費電力にこだわった開発を通して、省エネ・環境に一緒に貢献していきましょう。

【石川】ディスクリート半導体の製品開発エンジニア

年収450万円 - 1200万円
勤務地石川県

【仕事内容】 ディスクリート半導体(パワーMOSFET、IGBT等、小信号デバイス、汎用小型IC、アイソレーションデバイス・半導体リレー)に関する、 ・デバイス設計・シミュレーション(TCAD) ・試作・性能評価・解析 ・量産立上業務  対象デバイスは次のとおり ①IGBT、ダイオード、パワーモジュール(兵庫県揖保郡太子町/石川県能美市) ②アイソレーションデバイス・半導体リレー(福岡県豊前市) ③パワーMOSFET(石川県能美市) ④小信号デバイス。特にMOSFET(兵庫県揖保郡太子町)  ⑤小信号デバイス。特に汎用小型IC(神奈川県川崎市) ※()内は想定勤務地 【募集背景】 東芝は創業以来140年以上もの長きに亘り、一貫して独自の技術開発を行い、その技術力で社会を、日本を、そして世界を豊かにしてきた企業です。 これまで積み重ねてきた「ものづくり」企業としての実績、信頼と実力を武器に、新たな時代の主役になっていくべく、事業運営・組織体制の強化が求められています。 カーボンニュートラルな未来に向けてエネルギーの効率的な利用を実現するため、社会インフラ機器や車載・産業・情報通信・モバイル機器などあらゆる分野でディスクリート半導体の需要拡大が見込まれています。当社は300mmウェーハ対応の製造ラインの生産能力増強を中心とした事業の拡大を図るとともに、あらゆる電気機器の省エネルギー化に不可欠なディスクリート半導体製品を開発する人材を求めています。

【石川】パワー半導体のユニットプロセス開発エンジニア

年収450万円 - 1200万円
勤務地石川県

【仕事内容】 MOSFETやIGBT等のSiパワー半導体デバイスのユニットプロセス(成膜プロセス、リソグラフィ、ドライエッチング/ウェットエッチング、イオン注入など)の開発を進めていただきます。 各工程毎にチーム編成してそれぞれのプロセスで専門家集団を形成して業務を進めています。 各チームでリーダーシップを発揮して開発を牽引していただける人財を求めており、お任せする工程はこれまでのご経験をお伺いしたうえでご相談いたします。 【募集背景】 東芝は創業以来140年以上もの長きに亘り、一貫して独自の技術開発を行い、その技術力で社会を、日本を、そして世界を豊かにしてきた企業です。 これまで積み重ねてきた「ものづくり」企業としての実績、信頼と実力を武器に、新たな時代の主役になっていくべく、事業運営・組織体制の強化が求められています。 電力を供給、制御する役目を果たす半導体のパワーデバイスは、あらゆる電気機器の省エネルギー化に不可欠なデバイスであり、自動車の電動化や産業機器の自動化などを背景に、今後も継続的な需要拡大が見込まれています。 当社はこれまで、加賀東芝を中心に、200mmウエハー対応の製造ラインの生産能力を増強してきました。今回、同社の既存建屋における200mmウエハー対応のクリーンルーム内に、300mmウエハー対応の製造ラインを敷設し、低耐圧MOSFET、IGBTの生産能力を増強します。 それに伴い300mmウエハー対応の新製造ラインの構築、および新製品に対応した新規プロセス・装置を開発する人材や、化合物半導体の大口径化に適したウェーハ製造プロセス・装置を開発する人材を募集します。

【石川】パワー半導体のデバイス設計・プロセスインテグレーションエンジニア

年収450万円 - 1200万円
勤務地石川県

【仕事内容】 デバイス開発部に所属いただき、MOSFETやIGBT等のパワー半導体デバイスの新規開発において、製品毎に6~8名のチームを組み、以下業務をお任せいたします。 ・半導体のプロセスインテグレーション、デバイス技術 ・評価分析 ・プロセスシミュレーション(TCAD) 1プロダクト2~3年ベースで開発を行っており、週一度の製品定例ミーティングを行い、1週間でPDCAを回しています。 パワー半導体は開発の規模感が大きすぎないからこそ、製品開発~量産立ち上げまで見渡すことができ、エンジニアとして確実にキャリアアップできる環境が整っています。 【募集背景】 東芝は創業以来140年以上もの長きに亘り、一貫して独自の技術開発を行い、その技術力で社会を、日本を、そして世界を豊かにしてきた企業です。 これまで積み重ねてきた「ものづくり」企業としての実績、信頼と実力を武器に、新たな時代の主役になっていくべく、事業運営・組織体制の強化が求められています。 電力を供給、制御する役目を果たす半導体のパワーデバイスは、あらゆる電気機器の省エネルギー化に不可欠なデバイスであり、自動車の電動化や産業機器の自動化などを背景に、今後も継続的な需要拡大が見込まれています。 当社はこれまで、加賀東芝を中心に、200mmウエハー対応の製造ラインの生産能力を増強してきました。今回、同社の既存建屋における200mmウエハー対応のクリーンルーム内に、300mmウエハー対応の製造ラインを敷設し、低耐圧MOSFET、IGBTの生産能力を増強すること伴いプロセスインテグレーション技術者を募集します。

【福岡】SiCデバイス開発エンジニア

年収500万円 - 850万円
勤務地福岡県

【仕事内容】 ■SiCデバイス設計・プロセス開発・インテグレーション・デバイス評価・量産移管業務 デバイス設計関連はTCADでデバイスシミュレーションを行います。 プロセス開発関連では各要素プロセス単位で担当を付けております。 苦手な分野があれば分担をしたり協力体制を取っています。 担当製品の工場は宮崎と福岡にあり、デバイス評価は京都で行っております。 【募集背景】 ■SiC事業の急成長に伴う増員補強の為 車載・産機市場を主ターゲットとした、高性能・低コスト・使いやすいSiCデバイスの開発を行っており、事業の拡大に伴い増員をいたします。 EV関連の開発需要が増えており、現在は新製品の開発体制を強化していきたいと考えています。

【三重】半導体製造プロセス/設備エンジニア(管理職採用)

年収700万円 - 1150万円
勤務地三重県

■業務概要 ・スパッタ,薄膜形成,CMPのいづれかのModule/設備技術の管理業務 ・イオン注入、フォトリソグラフィー、エッチング、拡散、CMP、CVD、PVDなどのModule技術の管理業務 ・フォトリソグラフィーのModule技術の管理業務 ■業務詳細 ・ファウンドリビジネスにおける高付加価値オプションの開発・改良に向けたプロセス設計・開発および設備管理 ・ファウンドリビジネスにおける高付加価値オプションの量産立ち上げ ・次世代パワーデバイス開発および量産 ・歩留り向上,工程安定化,生産性向上,管理技術およびコスト削減等の生産技術の開発・改良 ・ファウンドリビジネスにおけるプロセス・設備に関わる周辺技術支援

【滋賀】プロセス技術(プリント基板向け露光装置、検査装置、新規プロセス)リーダー

年収883万円 - 960万円
勤務地滋賀県

【職務】PE担当製品の開発や評価、新規プロセスの開発や評価を担当いただきます。 (1)プリント基板露光装置・検査装置を使った評価やユーザ対応(特殊案件を中心に)を通じ、販促受注につなげる。 【仕事内容】 プリント基板業界向けの露光装置、検査装置の仕様や取り扱いを理解し、顧客への販促を兼ねた評価実験や最適化条件出しと装置仕様(改良等)の提案業務をしていただきます。プロセス技術のユーザ対応は、特殊案件を担当いただく傾向があります。直接装置説明・デモ操作を通じ、最適な条件出しだけに留まらず、機能向上開発提案を積極的に行っていただきます。 (2)プリント基板露光・検査装置、新規装置開発への参画 【仕事内容】 プリント基板露光・検査装置の新しい機種開発や開発プロジェクトへの参画。プロセス技術者として、仕様検討や方向性まとめ、開発試作装置の評価を実行していただきます。開発担当した装置では、顧客納入先(国内外)へ出向いて説明や客先評価もしていただきます。新規装置開発では、知見を活かした積極的な提案や意見を出していただくと共に、自ら新規提案もしていただく事を期待します。 (変更の範囲)開発、技術、製造、営業、サービス、管理に関する業務等

【富山】パワーGaN半導体の結晶成長技術、デバイス・プロセス技術の開発

年収550万円 - 1150万円
勤務地富山県

パワーGaNトランジスタ用のエピタキシャルウェハやトランジスプロセスの開発と量産化に向けた 結晶成長技術開発、ウエハプロセス開発、工程設計、量産技術開発、評価・解析等 [具体的な仕事内容] (1)パワーGaNトランジスタ用エピタキシャルウェハの結晶成長技術開発 ・MOCVD法を用いたGaN系薄膜成長技術の開発 ・安定生産を実現する量産化技術の開発 (2)パワーGaNトランジスタのウエハプロセス開発 ・化合物半導体(GaN系)のプロセス要素技術開発(成膜、エッチング、不純物拡散、電極形成など) ・パワーGaNトランジスタの製造プロセス開発(電極構造の形成、共振器構造の形成など) ・パワーGaNトランジスタのデバイス特性評価

【東京】半導体製造装置のアプリケーションエンジニア

年収655万円 - 790万円
勤務地東京都

各種半導体製造装置のアプリケーション業務 【具体的には】 半導体製造装置の ◇顧客への運用レシピの提案、技術サポート ◇装置導入前後のデモ、フィールドサポート ◇装置自体の評価、装置を用いた基礎実験 ※職務内容の変更範囲:当社業務全般

【京都】フロントローディングを用いた新規半導体デバイスの研究

年収450万円 - 900万円
勤務地京都府

ロームの半導体デバイスの研究開発に関する各テーマのフロントローディング化に関する研究を行っていただきます。 ■ミッション 配属される最適設計研究Gは、半導体デバイスのフロントローディングに関する研究をしています。実際にデバイスを作る前にいかに正確なシミュレーションができるか、そして目標スペックに対して最適な設計ができるか、そして目標スペックを満たすだけでなく、ばらつきに強い設計(ロバスト設計)の実現、を目指しています。最近ではロームの最先端デバイスであるSiC/GaNといったワイドギャップ半導体や、高周波モジュールのフロントローディングで成果を上げています。最終的には、システム全体に対する顧客の要求に合わせた最適なデバイスを、デバイスを作る前に設計できるようにすることを目指します。 (フロントローディング:設計段階で工程バラつきを含めた詳細なシミュレーション、想定される不具合の洗い出しを行い、それらの結果を複数人でレビューすることで、後工程にて発生する問題を事前に無くす取り組みのこと。) ■入社後のキャリアステップ まずは個別の研究課題に対してそのフロントローディング化に取り組んでいただきます。半導体に関する知識や物理シミュレーションの仕方を習得してもらいつつ、これまで培ってきたデータサイエンスに関するスキルを存分に発揮ください。もちろん半導体を実際に作っての評価もお願いしますので、半導体に関する知識も(まだない方は)つけていただけます。 最終的には、ロームのフロントローディングを主導するリーダーになっていただき、ロームにそうした考え方を根付かせていただきたいです。 ■仕事の振り分け方 原則一人一テーマなので、まずは一つ研究テーマを持ってもらって、プロジェクトマネージャー(以下PM)としてそれに取り組んでいただきます。物理モデルの検討からデータサイエンス、実物を使った実際の評価までお願いします ■ポジションの魅力 ①半導体に関する知識、特に先端パワー半導体や高周波デバイスなど最先端のデバイスに触れられる ②単なるデータサイエンスだけではなく、作って実証まで行うので、自らのスキルの成果を直接確認できる ③半導体企業としては国内では非常にレアケースである垂直統合型企業の強みとして半導体に関する様々な知識や経験を体系的に獲得できる