【富山】パワーGaN半導体の結晶成長技術、デバイス・プロセス技術の開発

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募集要項
仕事の名称
【富山】パワーGaN半導体の結晶成長技術、デバイス・プロセス技術の開発
雇用形態
正社員(雇用期間の定めなし)
仕事の内容
パワーGaNトランジスタ用のエピタキシャルウェハやトランジスプロセスの開発と量産化に向けた 結晶成長技術開発、ウエハプロセス開発、工程設計、量産技術開発、評価・解析等 [具体的な仕事内容] (1)パワーGaNトランジスタ用エピタキシャルウェハの結晶成長技術開発 ・MOCVD法を用いたGaN系薄膜成長技術の開発 ・安定生産を実現する量産化技術の開発 (2)パワーGaNトランジスタのウエハプロセス開発 ・化合物半導体(GaN系)のプロセス要素技術開発(成膜、エッチング、不純物拡散、電極形成など) ・パワーGaNトランジスタの製造プロセス開発(電極構造の形成、共振器構造の形成など) ・パワーGaNトランジスタのデバイス特性評価
求める学歴
高専卒
必要な経験・スキル
【必須】 半導体のデバイス・プロセス開発業務経験 (3年目安) [知識] 材料物性、半導体プロセス技術の知識 [語学] TOEIC400点以上 [その他] ・GaNトランジスタに興味がある ・Si基板上のGaNエピタキシャル結晶成長、GaNトランジスタのプロセス開発に興味がある ※電気、電子、物理、化学、材料など、さまざまな技術や経験が活かせる職場です。 【歓迎】 [経験] 半導体プロセス設備、エピタキシャル成長装置を扱った経験 [知識] ・化合物半導体材料、物性の知識 ・化合物半導体の経験はないが、半導体プロセス開発、インテグレーション開発の経験がある ・プロセスエンジニアとしての経験がある ・トランジスタの物性の知識、評価の経験がある ・電源系の回路、製品の構成や使用されるトランジスタについての知識がある
勤務地
富山 富山県魚津市東山800番地
受動喫煙防止措置
屋内禁煙 (喫煙場所あり)
年収
550万円〜1150万円
月収
215,500円~
給与備考
※昇給:年1回
待遇・福利厚生
情報なし
年間休日
127日(2022年度)
就業時間
8:30~17:00(標準労働時間/1日7時間45分)※神奈川のみ9時~17時30分
選考プロセス
WEB面接2回 試験内容:適性検査
Give Career 補足情報
お問い合わせ完了後、担当者より限定情報をお伝えいたします。
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