半導体・デバイス開発の求人60

【神奈川】アナログICのテストエンジニア

年収450万円 - 1200万円
勤務地神奈川県

【仕事内容】 ・アナログICの治具及びテスタによる製品評価、テストプログラム開発/量産工程立上 【募集背景】 東芝は創業以来140年以上もの長きに亘り、一貫して独自の技術開発を行い、その技術力で社会を、日本を、そして世界を豊かにしてきた企業です。 これまで積み重ねてきた「ものづくり」企業としての実績、信頼と実力を武器に、新たな時代の主役になっていくべく、事業運営・組織体制の強化が求められています。 当社の柱の一つとなる、車載のモーターコントロールドライバー製品/デジタルアイソレーション製品において今後、生産数量が増大する中で、製品の評価及び量産テスト開発の人材を強化する必要があり、今回の求人要求となっております。

【神奈川】化合物半導体の製品開発エンジニア(GaNパワー)

年収450万円 - 1200万円
勤務地神奈川県

【仕事内容】 弊社では、Si半導体に代わるGaNパワー半導体の研究開発を推進しております。 株式会社東芝の研究開発センターや、各拠点、各部署と連携しながら、半導体エンジニアとして最先端の技術領域に取り組まれたい方に是非ご応募をいただけますと幸いです。 川崎:デバイス開発とプロセスインテグレーション 姫路:エピタキシャルプロセス、プロセス開発 【募集背景 】 東芝は創業以来140年以上もの長きに亘り、一貫して独自の技術開発を行い、その技術力で社会を、日本を、そして世界を豊かにしてきた企業です。 これまで積み重ねてきた「ものづくり」企業としての実績、信頼と実力を武器に、新たな時代の主役になっていくべく、事業運営・組織体制の強化が求められています。 カーボンニュートラルな未来、CO2削減に向け、消費電力効率改善に貢献するSiパワー半導体。これに変わる化合物材料(SiC/GaN)デバイスの需要拡大が見込まれます。その中でGaNパワーデバイス事業の早期立ち上げ・拡大を目指し、製品・プロセス・材料の開発を牽引する人材を求めています。

【兵庫】化合物半導体のプロセス開発エンジニア(GaN/SiC)

年収450万円 - 1200万円
勤務地兵庫県

【仕事内容】 弊社では、Si半導体に代わるGaNパワー半導体の研究開発を推進しております。 株式会社東芝の研究開発センターや、各拠点、各部署と連携しながら、半導体エンジニアとして最先端の技術領域に取り組まれたい方に是非ご応募をいただけますと幸いです。 川崎:デバイス開発とプロセスインテグレーション 姫路:エピタキシャルプロセス、プロセス開発 【募集背景】 東芝は創業以来140年以上もの長きに亘り、一貫して独自の技術開発を行い、その技術力で社会を、日本を、そして世界を豊かにしてきた企業です。 これまで積み重ねてきた「ものづくり」企業としての実績、信頼と実力を武器に、新たな時代の主役になっていくべく、事業運営・組織体制の強化が求められています。 カーボンニュートラルな未来、CO2削減に向け、消費電力効率改善に貢献するSiパワー半導体。これに変わる化合物材料(GaN/SiC)デバイスの需要拡大が見込まれます。 その中でGaNパワーデバイス事業では、早期立ち上げ・拡大を目指し、製品・プロセス・材料の開発を牽引する人材を求めています。 また、次世代SiCデバイス(トレンチMOSFET,SJ-MOS等)のデバイス設計、プロセスインテグレーション、ユニットプロセス開発、SiCデバイスの大口径化に適したウェーハ製造(エピタキシャル成長)プロセス・装置の開発を担当する人材を募集しております。

【兵庫】化合物半導体の製品開発エンジニア(SiC)

年収450万円 - 1200万円
勤務地兵庫県

【仕事内容】 ・デバイス設計・シミュレーション(TCAD) ・パワーモジュール パッケージ開発 ・試作・性能評価・解析 ・量産立上業務 SiCの研究開発は兵庫の姫路半導体工場に人員を集約しており、パワーモジュール開発、デバイス設計、プロセス開発、製造まで一貫して取り組んでいるため、一連の業務を経験いただきながらPDCAを回しやすい職場環境です。半導体エンジニアとして最先端の技術領域に取り組まれたい方に是非ご応募をいただけますと幸いです。 【募集背景】 東芝は創業以来140年以上もの長きに亘り、一貫して独自の技術開発を行い、その技術力で社会を、日本を、そして世界を豊かにしてきた企業です。 これまで積み重ねてきた「ものづくり」企業としての実績、信頼と実力を武器に、新たな時代の主役になっていくべく、事業運営・組織体制の強化が求められています。 カーボンニュートラル、脱炭素社会の実現に向けて、電力を制御する役割を果たすパワーデバイスの需要拡大が見込まれます。産業用機器、社会イン

【福岡】ディスクリート半導体の製品開発エンジニア

年収450万円 - 1200万円
勤務地福岡県

【仕事内容】 ディスクリート半導体(パワーMOSFET、IGBT等、小信号デバイス、汎用小型IC、アイソレーションデバイス・半導体リレー)に関する、 ・デバイス設計・シミュレーション(TCAD) ・試作・性能評価・解析 ・量産立上業務  対象デバイスは次のとおり ①IGBT、ダイオード、パワーモジュール(兵庫県揖保郡太子町/石川県能美市) ②アイソレーションデバイス・半導体リレー(福岡県豊前市) ③パワーMOSFET(石川県能美市) ④小信号デバイス。特にMOSFET(兵庫県揖保郡太子町)  ⑤小信号デバイス。特に汎用小型IC(神奈川県川崎市) ※()内は想定勤務地 【募集背景】 東芝は創業以来140年以上もの長きに亘り、一貫して独自の技術開発を行い、その技術力で社会を、日本を、そして世界を豊かにしてきた企業です。 これまで積み重ねてきた「ものづくり」企業としての実績、信頼と実力を武器に、新たな時代の主役になっていくべく、事業運営・組織体制の強化が求められています。 カーボンニュートラルな未来に向けてエネルギーの効率的な利用を実現するため、社会インフラ機器や車載・産業・情報通信・モバイル機器などあらゆる分野でディスクリート半導体の需要拡大が見込まれています。当社は300mmウェーハ対応の製造ラインの生産能力増強を中心とした事業の拡大を図るとともに、あらゆる電気機器の省エネルギー化に不可欠なディスクリート半導体製品を開発する人材を求めています。

【兵庫】小信号デバイスの製品開発エンジニア

年収450万円 - 1200万円
勤務地兵庫県

【仕事内容】 小信号デバイスや車載向けパワーデバイスなどのディスクリート半導体の開発部門です。開発業務の司令塔として製品企画、開発試作から量産立ち上げにおけるプロダクトマネジメント業務に従事いただきます。具体的にお任せする業務は以下の通りです。 ・デバイス設計、シミュレーション(TCAD) ・試作、性能評価、解析 ・関連会社と連携した量産立上業務 【募集背景】 東芝は創業以来140年以上もの長きに亘り、一貫して独自の技術開発を行い、その技術力で社会を、日本を、そして世界を豊かにしてきた企業です。 これまで積み重ねてきた「ものづくり」企業としての実績、信頼と実力を武器に、新たな時代の主役になっていくべく、事業運営・組織体制の強化が求められています。 カーボンニュートラルな未来に向けてエネルギーの効率的な利用を実現するため、社会インフラ機器や車載、産業、情報通信などあらゆる分野でディスクリート半導体の需要拡大が見込まれています。当社は300mmウェーハ対応の製造ラインの生産能力増強を中心とした事業の拡大を図るとともに、半導体製品を開発する人材を求めています。 当部門では産業、車載向けMOSFETの開発・設計をしています。小型化・低消費電力にこだわった開発を通して、省エネ・環境に一緒に貢献していきましょう。

【石川】ディスクリート半導体の製品開発エンジニア

年収450万円 - 1200万円
勤務地石川県

【仕事内容】 ディスクリート半導体(パワーMOSFET、IGBT等、小信号デバイス、汎用小型IC、アイソレーションデバイス・半導体リレー)に関する、 ・デバイス設計・シミュレーション(TCAD) ・試作・性能評価・解析 ・量産立上業務  対象デバイスは次のとおり ①IGBT、ダイオード、パワーモジュール(兵庫県揖保郡太子町/石川県能美市) ②アイソレーションデバイス・半導体リレー(福岡県豊前市) ③パワーMOSFET(石川県能美市) ④小信号デバイス。特にMOSFET(兵庫県揖保郡太子町)  ⑤小信号デバイス。特に汎用小型IC(神奈川県川崎市) ※()内は想定勤務地 【募集背景】 東芝は創業以来140年以上もの長きに亘り、一貫して独自の技術開発を行い、その技術力で社会を、日本を、そして世界を豊かにしてきた企業です。 これまで積み重ねてきた「ものづくり」企業としての実績、信頼と実力を武器に、新たな時代の主役になっていくべく、事業運営・組織体制の強化が求められています。 カーボンニュートラルな未来に向けてエネルギーの効率的な利用を実現するため、社会インフラ機器や車載・産業・情報通信・モバイル機器などあらゆる分野でディスクリート半導体の需要拡大が見込まれています。当社は300mmウェーハ対応の製造ラインの生産能力増強を中心とした事業の拡大を図るとともに、あらゆる電気機器の省エネルギー化に不可欠なディスクリート半導体製品を開発する人材を求めています。

【石川】パワー半導体のユニットプロセス開発エンジニア

年収450万円 - 1200万円
勤務地石川県

【仕事内容】 MOSFETやIGBT等のSiパワー半導体デバイスのユニットプロセス(成膜プロセス、リソグラフィ、ドライエッチング/ウェットエッチング、イオン注入など)の開発を進めていただきます。 各工程毎にチーム編成してそれぞれのプロセスで専門家集団を形成して業務を進めています。 各チームでリーダーシップを発揮して開発を牽引していただける人財を求めており、お任せする工程はこれまでのご経験をお伺いしたうえでご相談いたします。 【募集背景】 東芝は創業以来140年以上もの長きに亘り、一貫して独自の技術開発を行い、その技術力で社会を、日本を、そして世界を豊かにしてきた企業です。 これまで積み重ねてきた「ものづくり」企業としての実績、信頼と実力を武器に、新たな時代の主役になっていくべく、事業運営・組織体制の強化が求められています。 電力を供給、制御する役目を果たす半導体のパワーデバイスは、あらゆる電気機器の省エネルギー化に不可欠なデバイスであり、自動車の電動化や産業機器の自動化などを背景に、今後も継続的な需要拡大が見込まれています。 当社はこれまで、加賀東芝を中心に、200mmウエハー対応の製造ラインの生産能力を増強してきました。今回、同社の既存建屋における200mmウエハー対応のクリーンルーム内に、300mmウエハー対応の製造ラインを敷設し、低耐圧MOSFET、IGBTの生産能力を増強します。 それに伴い300mmウエハー対応の新製造ラインの構築、および新製品に対応した新規プロセス・装置を開発する人材や、化合物半導体の大口径化に適したウェーハ製造プロセス・装置を開発する人材を募集します。

【石川】パワー半導体のデバイス設計・プロセスインテグレーションエンジニア

年収450万円 - 1200万円
勤務地石川県

【仕事内容】 デバイス開発部に所属いただき、MOSFETやIGBT等のパワー半導体デバイスの新規開発において、製品毎に6~8名のチームを組み、以下業務をお任せいたします。 ・半導体のプロセスインテグレーション、デバイス技術 ・評価分析 ・プロセスシミュレーション(TCAD) 1プロダクト2~3年ベースで開発を行っており、週一度の製品定例ミーティングを行い、1週間でPDCAを回しています。 パワー半導体は開発の規模感が大きすぎないからこそ、製品開発~量産立ち上げまで見渡すことができ、エンジニアとして確実にキャリアアップできる環境が整っています。 【募集背景】 東芝は創業以来140年以上もの長きに亘り、一貫して独自の技術開発を行い、その技術力で社会を、日本を、そして世界を豊かにしてきた企業です。 これまで積み重ねてきた「ものづくり」企業としての実績、信頼と実力を武器に、新たな時代の主役になっていくべく、事業運営・組織体制の強化が求められています。 電力を供給、制御する役目を果たす半導体のパワーデバイスは、あらゆる電気機器の省エネルギー化に不可欠なデバイスであり、自動車の電動化や産業機器の自動化などを背景に、今後も継続的な需要拡大が見込まれています。 当社はこれまで、加賀東芝を中心に、200mmウエハー対応の製造ラインの生産能力を増強してきました。今回、同社の既存建屋における200mmウエハー対応のクリーンルーム内に、300mmウエハー対応の製造ラインを敷設し、低耐圧MOSFET、IGBTの生産能力を増強すること伴いプロセスインテグレーション技術者を募集します。

【福岡】ディスクリート半導体のパッケージ開発・生産技術エンジニア

年収450万円 - 750万円
勤務地福岡県

【仕事内容】 配属部門では、パッケージ(製品)開発、材料開発から、試作、量産立ち上げを実施し、上流から下流までインテグレーションの一連のご経験を積むことが可能です。 豊前東芝エレクトロニクスに駐在いただき、製造担当部門とコミュニケーションを取りながら、以下業務をご担当いただきます。 ・半導体のパッケージ開発(材料、プロセス、製品) ・半導体パッケージのライン開発 ・半導体パッケージのテスト技術開発 ・半導体パッケージの量産立上、生産技術全般 【募集背景】 東芝は創業以来140年以上もの長きに亘り、一貫して独自の技術開発を行い、その技術力で社会を、日本を、そして世界を豊かにしてきた企業です。 これまで積み重ねてきた「ものづくり」企業としての実績、信頼と実力を武器に、新たな時代の主役になっていくべく、事業運営・組織体制の強化が求められています。 車載・産業中心に多分野でのディスクリート半導体の需要は旺盛なものとなっています。新製品パッケージ開発し、その製品を早期に量産展開するために生産技術者を求めています。