半導体・デバイス開発の求人63件

【岐阜】生産技術開発/半導体封止技術(モールド)を利用した電子部品内蔵技術開発(メンバー~リーダー)

年収500万円 - 850万円
勤務地岐阜県

【業務内容】 半導体パッケージ基板への電子部品内蔵技術の開発を行っていただきます。 具体的には、内蔵に関わるプロセスの選定と各プロセスの量産に向けた仕様決定と条件だしなどの技術開発を行います。 チップの高性能/大型化が進む中で、積層化ではなく、部品を内蔵する必要が出てきています。 通常、半導体の封止樹脂プロセスで使われるモールド技術をコア形成プロセスで利用し、実現を目指しています。 【部門のミッション】 電子事業本部では、半導体パッケージ基板の開発~生産を行っています。技術統括部では未来の製品に向けた開発を行っており、配属Gでは次世代向けパッケージ基板のコア形成プロセスを担当し、プロセス技術構築と量産プロセスの改善を行っています。 【配属部門】 電子事業本部 技術統括部 要素技術部 要素技術5G(31名) 【働き方】 ・夜勤なし ・土日祝休み ・基本出張なし ・平均残業20時間 【業務の魅力】 ・これまでのパッケージ基板にはない、新たな技術開発に携わることが可能です。 ・後工程で行われる封止より細かい場所への封止(モールド)技術が必要となるため、高い技術力を要求される業務となります。 【イビデンの魅力】 • 未来を見据えた異次元の設備投資 2026年度からの3年間で電子事業に総額約5,000億円の設備投資を実施。売上規模を大幅に上回る果敢な投資により、2028年度に向けて生産能力を現在の2.5倍へと引き上げます。最新鋭スマート工場の立ち上げなど、技術者として世界トップクラスの環境で一世一代の大規模プロジェクトに携わることができます。 • 世界トップ企業(Intel・NVIDIA等)との共同設計(コ・デザイン) 単なる受託製造にとどまらず、IntelやNVIDIA、TSMCといったグローバルリーダーの次世代製品開発の初期段階から技術者が参画します。開発から共同で行う「コ・デザイン」を通じて、当社の技術がそのまま世界の標準規格(デファクトスタンダード)となり、対等なパートナーとして世界をリードできます。 • 2030年「売上1兆円」へ向けた圧倒的な「成長性」 生成AIの爆発的普及を背景に、電子事業を牽引役に急成長を続けています。2025年度の売上高4,162億円・営業利益620億円から、2030年度には売上高1兆円以上・営業利益3,000億円以上(営業利益率30%)を目指す明確な長期ビジョンを掲げており、極めて高い将来性と事業拡大の推進力を備えています。 • 競合を寄せ付けない圧倒的な「技術力・品質」 髪の毛の数分の1以下の極細配線を15〜20層以上重ね合わせる微細多層配線技術や、激しい発熱でも歪まない究極の平坦性制御により、AIサーバー向け最先端ICパッケージ基板で世界最高峰の品質を誇ります。数百におよぶ複雑な工程において高い歩留まり(良品率)で安定量産できる生産技術力は、他社の追随を許さない絶対的な強みです。 【大垣市の魅力】 田舎過ぎず都会過ぎず、どちらの楽しみ方もできることから近年は移住者に人気の地域となっており、住みよさランキングでも全国で上位にランクインしています。 ・都市部への交通アクセス良好   イビデンが多くの事業場を置く岐阜県大垣市は自然豊かな土地でありながら   名古屋までは30分、大阪へも90分というアクセス環境も非常に良い土地です。 ・物価も安く、生活しやすい環境   2LDKの賃貸物件の家賃では、名古屋市全区の平均値が約10万円で、大垣市は約6万円   商店街から大型店舗まで充実しており、ショッピングモールも数多くあります ・子育て支援が充実   高校生世代まで通院と入院にかかる医療費(自己負担相当額)助成(所得制限なし)   保育園・幼保園・留守家庭児童教室・病児保育など預け先も充実しています

【岐阜】技術系オープンポジション

年収430万円 - 1100万円
勤務地岐阜県

■概要:以下(1)~(5)のいずれかの業務にご経験・適性・実績に応じてご担当頂きます。 (1)開発設計:次世代ICパッケージ基板の共同開発・商品開発・工程設計 (2)要素技術:次世代ICパッケージ基板量産に向けたプロセス開発 (3)生産技術:生産設備・システム・工場UTYの仕様検討・導入 (4)製造技術:ICパッケージ基板製造における生産性改善・歩留り改善 (5)品質管理:ICパッケージ基板の品質保証 / 管理及びデータ解析 【イビデンの魅力】 • 未来を見据えた異次元の設備投資 2026年度からの3年間で電子事業に総額約5,000億円の設備投資を実施。売上規模を大幅に上回る果敢な投資により、2028年度に向けて生産能力を現在の2.5倍へと引き上げます。最新鋭スマート工場の立ち上げなど、技術者として世界トップクラスの環境で一世一代の大規模プロジェクトに携わることができます。 • 世界トップ企業(Intel・NVIDIA等)との共同設計(コ・デザイン) 単なる受託製造にとどまらず、IntelやNVIDIA、TSMCといったグローバルリーダーの次世代製品開発の初期段階から技術者が参画します。開発から共同で行う「コ・デザイン」を通じて、当社の技術がそのまま世界の標準規格(デファクトスタンダード)となり、対等なパートナーとして世界をリードできます。 • 2030年「売上1兆円」へ向けた圧倒的な「成長性」 生成AIの爆発的普及を背景に、電子事業を牽引役に急成長を続けています。2025年度の売上高4,162億円・営業利益620億円から、2030年度には売上高1兆円以上・営業利益3,000億円以上(営業利益率30%)を目指す明確な長期ビジョンを掲げており、極めて高い将来性と事業拡大の推進力を備えています。 • 競合を寄せ付けない圧倒的な「技術力・品質」 髪の毛の数分の1以下の極細配線を15〜20層以上重ね合わせる微細多層配線技術や、激しい発熱でも歪まない究極の平坦性制御により、AIサーバー向け最先端ICパッケージ基板で世界最高峰の品質を誇ります。数百におよぶ複雑な工程において高い歩留まり(良品率)で安定量産できる生産技術力は、他社の追随を許さない絶対的な強みです。 【大垣市の魅力】 田舎過ぎず都会過ぎず、どちらの楽しみ方もできることから近年は移住者に人気の地域となっており、住みよさランキングでも全国で上位にランクインしています。 ・都市部への交通アクセス良好   イビデンが多くの事業場を置く岐阜県大垣市は自然豊かな土地でありながら   名古屋までは30分、大阪へも90分というアクセス環境も非常に良い土地です。 ・物価も安く、生活しやすい環境   2LDKの賃貸物件の家賃では、名古屋市全区の平均値が9.8万円で、大垣市は5.8万円   商店街から大型店舗まで充実しており、ショッピングモールも数多くあります ・子育て支援が充実   高校生世代まで通院と入院にかかる医療費(自己負担相当額)助成(所得制限なし)   保育園・幼保園・留守家庭児童教室・病児保育など預け先も充実しています

【兵庫】化合物半導体のプロセス開発エンジニア(GaN/SiC)

年収450万円 - 1200万円
勤務地兵庫県

【仕事内容】 弊社では、Si半導体に代わるGaN/SiCパワー半導体の研究開発を推進しております。 当部門は株式会社東芝の研究開発センターや、各拠点、各部署と連携しながら、設計要求・開発計画に基づき、当部門でプロセスインテグレーション、ユニットプロセス、材料(エピ)開発を行っています。 半導体エンジニアとして最先端の技術領域に取り組まれたい方に是非ご応募をいただけますと幸いです。 【募集背景】 東芝は創業以来140年以上もの長きに亘り、一貫して独自の技術開発を行い、その技術力で社会を、日本を、そして世界を豊かにしてきた企業です。 これまで積み重ねてきた「ものづくり」企業としての実績、信頼と実力を武器に、新たな時代の主役になっていくべく、事業運営・組織体制の強化が求められています。 カーボンニュートラルな未来、CO2削減に向け、消費電力効率改善に貢献するSiパワー半導体。これに変わる化合物材料(GaN/SiC)デバイスの需要拡大が見込まれます。 その中でGaNパワーデバイス事業では、早期立ち上げ・拡大を目指し、製品・プロセス・材料の開発を牽引する人材を求めています。 また、次世代SiCデバイス(トレンチMOSFET,SJ-MOS等)のデバイス設計、プロセスインテグレーション、ユニットプロセス開発、SiCデバイスの大口径化に適したウェーハ製造(エピタキシャル成長)プロセス・装置の開発を担当する人材を募集しております。

【石川】パワー半導体のデバイス設計・プロセスインテグレーションエンジニア【第二新卒可】

年収450万円 - 1200万円
勤務地石川県

【仕事内容】 デバイス開発部に所属いただき、MOSFETやIGBT等のパワー半導体デバイスの新規開発において、製品毎に6~8名のチームを組み、以下業務をお任せいたします。 ・半導体のプロセスインテグレーション、デバイス技術 ・評価分析 ・プロセスシミュレーション(TCAD) 1プロダクト2~3年ベースで開発を行っており、週一度の製品定例ミーティングを行い、1週間でPDCAを回しています。 パワー半導体は開発の規模感が大きすぎないからこそ、製品開発~量産立ち上げまで見渡すことができ、エンジニアとして確実にキャリアアップできる環境が整っています。 【募集背景】 東芝は創業以来140年以上もの長きに亘り、一貫して独自の技術開発を行い、その技術力で社会を、日本を、そして世界を豊かにしてきた企業です。 これまで積み重ねてきた「ものづくり」企業としての実績、信頼と実力を武器に、新たな時代の主役になっていくべく、事業運営・組織体制の強化が求められています。 電力を供給、制御する役目を果たす半導体のパワーデバイスは、あらゆる電気機器の省エネルギー化に不可欠なデバイスであり、自動車の電動化や産業機器の自動化などを背景に、今後も継続的な需要拡大が見込まれています。 当社はこれまで、加賀東芝を中心に、200mmウエハー対応の製造ラインの生産能力を増強してきました。今回、同社の既存建屋における200mmウエハー対応のクリーンルーム内に、300mmウエハー対応の製造ラインを敷設し、低耐圧MOSFET、IGBTの生産能力を増強するに伴いプロセスインテグレーション技術者を募集します。

【石川/兵庫】ディスクリート半導体の製品開発エンジニア(パワーデバイス)

年収450万円 - 1200万円
勤務地石川県, 兵庫県

【仕事内容 ・デバイス設計・シミュレーション(TCAD) ・試作・性能評価・解析 ・量産立上業務 【募集背景】 東芝は創業以来140年以上もの長きに亘り、一貫して独自の技術開発を行い、その技術力で社会を、日本を、そして世界を豊かにしてきた企業です。 これまで積み重ねてきた「ものづくり」企業としての実績、信頼と実力を武器に、新たな時代の主役になっていくべく、事業運営・組織体制の強化が求められています。 カーボンニュートラル、脱炭素社会の実現に向けて、電力を制御する役割を果たすパワーデバイスの需要拡大が見込まれます。産業用機器、社会インフラ機器、電鉄、自動車などに使用されるIGBT/SiCを中心としたパワーデバイス製品を開発する人材を募集しています。

【兵庫】ディスクリート半導体のプロセス開発エンジニア

年収450万円 - 1200万円
勤務地兵庫県

【仕事内容】 ディスクリート半導体(特にパワーデバイス)に関する、 ・パワーデバイスのプロセス開発、装置開発 【募集背景】 東芝は創業以来140年以上もの長きに亘り、一貫して独自の技術開発を行い、その技術力で社会を、日本を、そして世界を豊かにしてきた企業です。 これまで積み重ねてきた「ものづくり」企業としての実績、信頼と実力を武器に、新たな時代の主役になっていくべく、事業運営・組織体制の強化が求められています。 電力を供給、制御する役目を果たす半導体のパワーデバイスは、あらゆる電気機器の省エネルギー化に不可欠なデバイスであり、自動車の電動化や産業機器の自動化などを背景に、今後も継続的な需要拡大が見込まれています。 当社はこれまで、加賀東芝を中心に、200mmウエハー対応の製造ラインの生産能力を増強してきました。今回、同社の既存建屋における200mmウエハー対応のクリーンルーム内に、300mmウエハー対応の製造ラインを敷設し、低耐圧MOSFET、IGBTの生産能力を増強します。 これに伴い即戦力となる方を募集します。 ①300mmウエハー対応の製造ラインの構築、および新製品に対応した新規プロセス・装置を開発する人材。 ②化合物半導体の大口径化に適したウェーハ製造プロセス・装置を開発する人材。

【神奈川】化合物半導体の製品開発エンジニア(GaNパワー)

年収450万円 - 1200万円
勤務地神奈川県

【仕事内容】 弊社では、Si半導体に代わるGaNパワー半導体の研究開発を推進しております。 株式会社東芝の研究開発センターや、各拠点、各部署と連携しながら、半導体エンジニアとして最先端の技術領域に取り組まれたい方に是非ご応募をいただけますと幸いです。 川崎:デバイス開発とプロセスインテグレーション 姫路:エピタキシャルプロセス、プロセス開発 【募集背景 】 東芝は創業以来140年以上もの長きに亘り、一貫して独自の技術開発を行い、その技術力で社会を、日本を、そして世界を豊かにしてきた企業です。 これまで積み重ねてきた「ものづくり」企業としての実績、信頼と実力を武器に、新たな時代の主役になっていくべく、事業運営・組織体制の強化が求められています。 カーボンニュートラルな未来、CO2削減に向け、消費電力効率改善に貢献するSiパワー半導体。これに変わる化合物材料(SiC/GaN)デバイスの需要拡大が見込まれます。その中でGaNパワーデバイス事業の早期立ち上げ・拡大を目指し、製品・プロセス・材料の開発を牽引する人材を求めています。

【兵庫】化合物半導体のプロセス開発エンジニア(GaN/SiC)

年収450万円 - 1200万円
勤務地兵庫県

【仕事内容】 弊社では、Si半導体に代わるGaNパワー半導体の研究開発を推進しております。 株式会社東芝の研究開発センターや、各拠点、各部署と連携しながら、半導体エンジニアとして最先端の技術領域に取り組まれたい方に是非ご応募をいただけますと幸いです。 川崎:デバイス開発とプロセスインテグレーション 姫路:エピタキシャルプロセス、プロセス開発 【募集背景】 東芝は創業以来140年以上もの長きに亘り、一貫して独自の技術開発を行い、その技術力で社会を、日本を、そして世界を豊かにしてきた企業です。 これまで積み重ねてきた「ものづくり」企業としての実績、信頼と実力を武器に、新たな時代の主役になっていくべく、事業運営・組織体制の強化が求められています。 カーボンニュートラルな未来、CO2削減に向け、消費電力効率改善に貢献するSiパワー半導体。これに変わる化合物材料(GaN/SiC)デバイスの需要拡大が見込まれます。 その中でGaNパワーデバイス事業では、早期立ち上げ・拡大を目指し、製品・プロセス・材料の開発を牽引する人材を求めています。 また、次世代SiCデバイス(トレンチMOSFET,SJ-MOS等)のデバイス設計、プロセスインテグレーション、ユニットプロセス開発、SiCデバイスの大口径化に適したウェーハ製造(エピタキシャル成長)プロセス・装置の開発を担当する人材を募集しております。

【兵庫】化合物半導体の製品開発エンジニア(SiC)

年収450万円 - 1200万円
勤務地兵庫県

【仕事内容】 ・デバイス設計・シミュレーション(TCAD) ・パワーモジュール パッケージ開発 ・試作・性能評価・解析 ・量産立上業務 SiCの研究開発は兵庫の姫路半導体工場に人員を集約しており、パワーモジュール開発、デバイス設計、プロセス開発、製造まで一貫して取り組んでいるため、一連の業務を経験いただきながらPDCAを回しやすい職場環境です。半導体エンジニアとして最先端の技術領域に取り組まれたい方に是非ご応募をいただけますと幸いです。 【募集背景】 東芝は創業以来140年以上もの長きに亘り、一貫して独自の技術開発を行い、その技術力で社会を、日本を、そして世界を豊かにしてきた企業です。 これまで積み重ねてきた「ものづくり」企業としての実績、信頼と実力を武器に、新たな時代の主役になっていくべく、事業運営・組織体制の強化が求められています。 カーボンニュートラル、脱炭素社会の実現に向けて、電力を制御する役割を果たすパワーデバイスの需要拡大が見込まれます。産業用機器、社会イン

【福岡】ディスクリート半導体の製品開発エンジニア

年収450万円 - 1200万円
勤務地福岡県

【仕事内容】 ディスクリート半導体(パワーMOSFET、IGBT等、小信号デバイス、汎用小型IC、アイソレーションデバイス・半導体リレー)に関する、 ・デバイス設計・シミュレーション(TCAD) ・試作・性能評価・解析 ・量産立上業務  対象デバイスは次のとおり ①IGBT、ダイオード、パワーモジュール(兵庫県揖保郡太子町/石川県能美市) ②アイソレーションデバイス・半導体リレー(福岡県豊前市) ③パワーMOSFET(石川県能美市) ④小信号デバイス。特にMOSFET(兵庫県揖保郡太子町)  ⑤小信号デバイス。特に汎用小型IC(神奈川県川崎市) ※()内は想定勤務地 【募集背景】 東芝は創業以来140年以上もの長きに亘り、一貫して独自の技術開発を行い、その技術力で社会を、日本を、そして世界を豊かにしてきた企業です。 これまで積み重ねてきた「ものづくり」企業としての実績、信頼と実力を武器に、新たな時代の主役になっていくべく、事業運営・組織体制の強化が求められています。 カーボンニュートラルな未来に向けてエネルギーの効率的な利用を実現するため、社会インフラ機器や車載・産業・情報通信・モバイル機器などあらゆる分野でディスクリート半導体の需要拡大が見込まれています。当社は300mmウェーハ対応の製造ラインの生産能力増強を中心とした事業の拡大を図るとともに、あらゆる電気機器の省エネルギー化に不可欠なディスクリート半導体製品を開発する人材を求めています。