【兵庫】化合物半導体のプロセス開発エンジニア（GaN/SiC）
年収450万円 - 1200万円
勤務地兵庫県
【仕事内容】 弊社では、Si半導体に代わるGaN/SiCパワー半導体の研究開発を推進しております。 当部門は株式会社東芝の研究開発センターや、各拠点、各部署と連携しながら、設計要求・開発計画に基づき、当部門でプロセスインテグレーション、ユニットプロセス、材料（エピ）開発を行っています。 半導体エンジニアとして最先端の技術領域に取り組まれたい方に是非ご応募をいただけますと幸いです。 【募集背景】 東芝は創業以来140年以上もの長きに亘り、一貫して独自の技術開発を行い、その技術力で社会を、日本を、そして世界を豊かにしてきた企業です。 これまで積み重ねてきた「ものづくり」企業としての実績、信頼と実力を武器に、新たな時代の主役になっていくべく、事業運営・組織体制の強化が求められています。 カーボンニュートラルな未来、CO2削減に向け、消費電力効率改善に貢献するSiパワー半導体。これに変わる化合物材料（GaN/SiC）デバイスの需要拡大が見込まれます。 その中でGaNパワーデバイス事業では、早期立ち上げ・拡大を目指し、製品・プロセス・材料の開発を牽引する人材を求めています。 また、次世代SiCデバイス(トレンチMOSFET,SJ-MOS等)のデバイス設計、プロセスインテグレーション、ユニットプロセス開発、SiCデバイスの大口径化に適したウェーハ製造(エピタキシャル成長)プロセス・装置の開発を担当する人材を募集しております。