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【岐阜】生産技術/生産設備開発(機械))【夜勤なし/土日祝休み/基本転勤なし/基本出張なし/平均残業20時間程度】

年収460万円 - 940万円
勤務地岐阜県

〇具体的な業務(実際にお任せする業務内容は、ご経験・スキルに応じて決定します) ①設備導入・設備設計(一気通貫でのエンジニアリング) ・新規生産設備の増設や改良に関する計画立案・提案・進捗管理。 ・設備の仕様書作成から発注、現場への導入、導入後の改善活動までを一貫して担当。 ・生産設備の新規導入や改良が必要な際における、固有技術および設備の開発。 ②次世代に向けた技術開発・工程設計 ・次世代製品開発を見据えた、新しい生産方式や要素技術開発の提案・発注・導入。 ・生産能力の最大化と工程改善 ③各製造拠点における生産設備の能力確保と最適化。 ・工程能力や信頼性の向上に向けた改善計画の立案、発注・導入の実行。 ・設備導入や改善に伴う、法規制上の届出資料の作成および提出業務。 〇配属部門 電子事業本部 技術統括部 設備技術部もしくは新工場PJ 〇働き方 ・夜勤なし ・土日祝休み ・基本出張なし ・平均残業20時間 〇業務の魅力 ・装置産業である半導体業界で設備に携わることのできるポジションになります。事業の中でも重要度の高い業務にチャレンジいただけます。 ・25年以降に予定されている新工場立ち上げや昨今のAI需要の増大に伴う増員での採用となりますので、他社ではなかなか味わえないダイナミックな仕事をご経験いただくことが可能です。 〇イビデンの魅力 • 未来を見据えた異次元の設備投資 2026年度からの3年間で電子事業に総額約5,000億円の設備投資を実施。売上規模を大幅に上回る果敢な投資により、2028年度に向けて生産能力を現在の2.5倍へと引き上げます。最新鋭スマート工場の立ち上げなど、技術者として世界トップクラスの環境で一世一代の大規模プロジェクトに携わることができます。 • 世界トップ企業(Intel・NVIDIA等)との共同設計(コ・デザイン) 単なる受託製造にとどまらず、IntelやNVIDIA、TSMCといったグローバルリーダーの次世代製品開発の初期段階から技術者が参画します。開発から共同で行う「コ・デザイン」を通じて、当社の技術がそのまま世界の標準規格(デファクトスタンダード)となり、対等なパートナーとして世界をリードできます。 • 2030年「売上1兆円」へ向けた圧倒的な「成長性」 生成AIの爆発的普及を背景に、電子事業を牽引役に急成長を続けています。2025年度の売上高4,162億円・営業利益620億円から、2030年度には売上高1兆円以上・営業利益3,000億円以上(営業利益率30%)を目指す明確な長期ビジョンを掲げており、極めて高い将来性と事業拡大の推進力を備えています。 • 競合を寄せ付けない圧倒的な「技術力・品質」 髪の毛の数分の1以下の極細配線を15〜20層以上重ね合わせる微細多層配線技術や、激しい発熱でも歪まない究極の平坦性制御により、AIサーバー向け最先端ICパッケージ基板で世界最高峰の品質を誇ります。数百におよぶ複雑な工程において高い歩留まり(良品率)で安定量産できる生産技術力は、他社の追随を許さない絶対的な強みです。 〇大垣市の魅力 田舎過ぎず都会過ぎず、どちらの楽しみ方もできることから近年は移住者に人気の地域となっており、住みよさランキングでも全国で上位にランクインしています。 ・都市部への交通アクセス良好 イビデンが多くの事業場を置く岐阜県大垣市は自然豊かな土地でありながら名古屋までは30分、大阪へも90分というアクセス環境も非常に良い土地です。 ・物価も安く、生活しやすい環境 2LDKの賃貸物件の家賃では、名古屋市全区の平均値が約10万円で、大垣市は約6万円商店街から大型店舗まで充実しており、ショッピングモールも数多くあります ・子育て支援が充実 高校生世代まで通院と入院にかかる医療費(自己負担相当額)助成(所得制限なし)保育園・幼保園・留守家庭児童教室・病児保育など預け先も充実しています

【石川】パワー半導体のデバイス設計・プロセスインテグレーションエンジニア【第二新卒可】

年収450万円 - 1200万円
勤務地石川県

【仕事内容】 デバイス開発部に所属いただき、MOSFETやIGBT等のパワー半導体デバイスの新規開発において、製品毎に6~8名のチームを組み、以下業務をお任せいたします。 ・半導体のプロセスインテグレーション、デバイス技術 ・評価分析 ・プロセスシミュレーション(TCAD) 1プロダクト2~3年ベースで開発を行っており、週一度の製品定例ミーティングを行い、1週間でPDCAを回しています。 パワー半導体は開発の規模感が大きすぎないからこそ、製品開発~量産立ち上げまで見渡すことができ、エンジニアとして確実にキャリアアップできる環境が整っています。 【募集背景】 東芝は創業以来140年以上もの長きに亘り、一貫して独自の技術開発を行い、その技術力で社会を、日本を、そして世界を豊かにしてきた企業です。 これまで積み重ねてきた「ものづくり」企業としての実績、信頼と実力を武器に、新たな時代の主役になっていくべく、事業運営・組織体制の強化が求められています。 電力を供給、制御する役目を果たす半導体のパワーデバイスは、あらゆる電気機器の省エネルギー化に不可欠なデバイスであり、自動車の電動化や産業機器の自動化などを背景に、今後も継続的な需要拡大が見込まれています。 当社はこれまで、加賀東芝を中心に、200mmウエハー対応の製造ラインの生産能力を増強してきました。今回、同社の既存建屋における200mmウエハー対応のクリーンルーム内に、300mmウエハー対応の製造ラインを敷設し、低耐圧MOSFET、IGBTの生産能力を増強するに伴いプロセスインテグレーション技術者を募集します。

【石川/兵庫】ディスクリート半導体の製品開発エンジニア(パワーデバイス)

年収450万円 - 1200万円
勤務地石川県, 兵庫県

【仕事内容 ・デバイス設計・シミュレーション(TCAD) ・試作・性能評価・解析 ・量産立上業務 【募集背景】 東芝は創業以来140年以上もの長きに亘り、一貫して独自の技術開発を行い、その技術力で社会を、日本を、そして世界を豊かにしてきた企業です。 これまで積み重ねてきた「ものづくり」企業としての実績、信頼と実力を武器に、新たな時代の主役になっていくべく、事業運営・組織体制の強化が求められています。 カーボンニュートラル、脱炭素社会の実現に向けて、電力を制御する役割を果たすパワーデバイスの需要拡大が見込まれます。産業用機器、社会インフラ機器、電鉄、自動車などに使用されるIGBT/SiCを中心としたパワーデバイス製品を開発する人材を募集しています。

【兵庫】ディスクリート半導体のプロセス開発エンジニア

年収450万円 - 1200万円
勤務地兵庫県

【仕事内容】 ディスクリート半導体(特にパワーデバイス)に関する、 ・パワーデバイスのプロセス開発、装置開発 【募集背景】 東芝は創業以来140年以上もの長きに亘り、一貫して独自の技術開発を行い、その技術力で社会を、日本を、そして世界を豊かにしてきた企業です。 これまで積み重ねてきた「ものづくり」企業としての実績、信頼と実力を武器に、新たな時代の主役になっていくべく、事業運営・組織体制の強化が求められています。 電力を供給、制御する役目を果たす半導体のパワーデバイスは、あらゆる電気機器の省エネルギー化に不可欠なデバイスであり、自動車の電動化や産業機器の自動化などを背景に、今後も継続的な需要拡大が見込まれています。 当社はこれまで、加賀東芝を中心に、200mmウエハー対応の製造ラインの生産能力を増強してきました。今回、同社の既存建屋における200mmウエハー対応のクリーンルーム内に、300mmウエハー対応の製造ラインを敷設し、低耐圧MOSFET、IGBTの生産能力を増強します。 これに伴い即戦力となる方を募集します。 ①300mmウエハー対応の製造ラインの構築、および新製品に対応した新規プロセス・装置を開発する人材。 ②化合物半導体の大口径化に適したウェーハ製造プロセス・装置を開発する人材。

【神奈川】アナログIC設計開発エンジニア

年収450万円 - 1200万円
勤務地神奈川県

■アナログIC製品の設計がメインの業務ではありますが、要求仕様から設計仕様検討、回路設計、シミュレーションによる検証、試作後のIC評価・解析、信頼性試験など、製品IC開発のスタートから量産までの一連の業務に携わることが可能です。 ■業務内容 ・アナログ回路設計(仕様検討、回路設計、シミュレーション検証) ・製品評価・特性解析、信頼性評価 ・開発業務管理 ・DFT(Design For Test)の設計 ・量産立ち上げに向けた製造部門・品質部門との連携

【神奈川】マイコン・システム LSIの設計エンジニア

年収450万円 - 1200万円
勤務地神奈川県

LSI開発(バックエンド設計)をご担当いただきます。 論理合成やタイミング設計、配置配線(P&R)、レイアウト設計、チップ実装などの工程を中心に、設計メソドロジの開発まで一貫して幅広く携わっていただきます。 具体的な業務内容: ・論理合成およびRTL設計・検証 ・STA(静的タイミング解析)・タイミング設計 ・P&R(配置配線)・レイアウト設計 ・チップ実装 ・DFT設計(設計段階のテスト性向上) ・低消費電力設計 ・物理設計・パッケージ設計 ・設計メソドロジ開発 対象分野: 民生機器、産業機器、車載分野を中心 ■業務の進め方 年間数製品(10製品未満)のマイコンを設計。当部署ではデジタル設計部からのF/E設計結果(RTL)を入力として、M/R(含むDFT)からB/E設計を担う。1製品当たり5名前後が携わり、案件により変動するが数日~1週間でPDCAを回している。経験豊富な設計者が多く、また独自の育成プログラムを有しており、この分野のオーソリティになれる職場環境です。

【神奈川】製品開発・プロダクトマネジメント(マイコン・ LSI・汎用小型IC)

年収450万円 - 1200万円
勤務地神奈川県

【仕事内容】 マイコン・システム LSI・汎用小型IC等の製品開発から量産立ち上げにおけるプロダクトマネジメント業務に従事いただきます。具体的にお任せする業務は以下の通りです。 ・デバイス設計、シミュレーション(TCAD)プロセス開発 ・製品試作、性能評価、解析 ・製品量産立上業務 └マイコン・LSI:Foundry 及び OSAT各社(海外含む)との連携 └汎用小型IC:製造部門との連携 ディレクターのような立ち位置で関係各所との調整を行っていただきつつ、納期に合わせた製品開発と量産立ち上げに従事いただきます。チームで仕事をしているため、社内の業績表彰などを受ける機会もあるやりがいのある業務です。製品企画の上流から、拡販・製品の評価回収の下流まで携わることができます。業務内容が幅広いため、様々なエンジニア経験を活かしていただくことが可能です。 【募集背景】 東芝は創業以来140年以上もの長きに亘り、一貫して独自の技術開発を行い、その技術力で社会を、日本を、そして世界を豊かにしてきた企業です。 これまで積み重ねてきた「ものづくり」企業としての実績、信頼と実力を武器に、新たな時代の主役になっていくべく、事業運営・組織体制の強化が求められています。 カーボンニュートラルな未来に向けて効率的なエネルギー利用を実現するため、車載・産業分野を中心に拡大するモータ市場において制御技術の重要性が高まっています。当社は技術的競争力のあるモータ制御マイコン、モータ制御ICに注力しており、事業の拡大を図るとともに、システムデバイスを開発する人材をもとめています。

【神奈川】化合物半導体の製品開発エンジニア(GaNパワー)

年収450万円 - 1200万円
勤務地神奈川県

【仕事内容】 弊社では、Si半導体に代わるGaNパワー半導体の研究開発を推進しております。 株式会社東芝の研究開発センターや、各拠点、各部署と連携しながら、半導体エンジニアとして最先端の技術領域に取り組まれたい方に是非ご応募をいただけますと幸いです。 川崎:デバイス開発とプロセスインテグレーション 姫路:エピタキシャルプロセス、プロセス開発 【募集背景 】 東芝は創業以来140年以上もの長きに亘り、一貫して独自の技術開発を行い、その技術力で社会を、日本を、そして世界を豊かにしてきた企業です。 これまで積み重ねてきた「ものづくり」企業としての実績、信頼と実力を武器に、新たな時代の主役になっていくべく、事業運営・組織体制の強化が求められています。 カーボンニュートラルな未来、CO2削減に向け、消費電力効率改善に貢献するSiパワー半導体。これに変わる化合物材料(SiC/GaN)デバイスの需要拡大が見込まれます。その中でGaNパワーデバイス事業の早期立ち上げ・拡大を目指し、製品・プロセス・材料の開発を牽引する人材を求めています。

【兵庫】化合物半導体のプロセス開発エンジニア(GaN/SiC)

年収450万円 - 1200万円
勤務地兵庫県

【仕事内容】 弊社では、Si半導体に代わるGaNパワー半導体の研究開発を推進しております。 株式会社東芝の研究開発センターや、各拠点、各部署と連携しながら、半導体エンジニアとして最先端の技術領域に取り組まれたい方に是非ご応募をいただけますと幸いです。 川崎:デバイス開発とプロセスインテグレーション 姫路:エピタキシャルプロセス、プロセス開発 【募集背景】 東芝は創業以来140年以上もの長きに亘り、一貫して独自の技術開発を行い、その技術力で社会を、日本を、そして世界を豊かにしてきた企業です。 これまで積み重ねてきた「ものづくり」企業としての実績、信頼と実力を武器に、新たな時代の主役になっていくべく、事業運営・組織体制の強化が求められています。 カーボンニュートラルな未来、CO2削減に向け、消費電力効率改善に貢献するSiパワー半導体。これに変わる化合物材料(GaN/SiC)デバイスの需要拡大が見込まれます。 その中でGaNパワーデバイス事業では、早期立ち上げ・拡大を目指し、製品・プロセス・材料の開発を牽引する人材を求めています。 また、次世代SiCデバイス(トレンチMOSFET,SJ-MOS等)のデバイス設計、プロセスインテグレーション、ユニットプロセス開発、SiCデバイスの大口径化に適したウェーハ製造(エピタキシャル成長)プロセス・装置の開発を担当する人材を募集しております。

【兵庫】化合物半導体の製品開発エンジニア(SiC)

年収450万円 - 1200万円
勤務地兵庫県

【仕事内容】 ・デバイス設計・シミュレーション(TCAD) ・パワーモジュール パッケージ開発 ・試作・性能評価・解析 ・量産立上業務 SiCの研究開発は兵庫の姫路半導体工場に人員を集約しており、パワーモジュール開発、デバイス設計、プロセス開発、製造まで一貫して取り組んでいるため、一連の業務を経験いただきながらPDCAを回しやすい職場環境です。半導体エンジニアとして最先端の技術領域に取り組まれたい方に是非ご応募をいただけますと幸いです。 【募集背景】 東芝は創業以来140年以上もの長きに亘り、一貫して独自の技術開発を行い、その技術力で社会を、日本を、そして世界を豊かにしてきた企業です。 これまで積み重ねてきた「ものづくり」企業としての実績、信頼と実力を武器に、新たな時代の主役になっていくべく、事業運営・組織体制の強化が求められています。 カーボンニュートラル、脱炭素社会の実現に向けて、電力を制御する役割を果たすパワーデバイスの需要拡大が見込まれます。産業用機器、社会イン