【富山】パワーGaN半導体の結晶成長技術、デバイス・プロセス技術の開発
パワーGaNトランジスタ用のエピタキシャルウェハやトランジスプロセスの開発と量産化に向けた 結晶成長技術開発、ウエハプロセス開発、工程設計、量産技術開発、評価・解析等 [具体的な仕事内容] (1)パワーGaNトランジスタ用エピタキシャルウェハの結晶成長技術開発 ・MOCVD法を用いたGaN系薄膜成長技術の開発 ・安定生産を実現する量産化技術の開発 (2)パワーGaNトランジスタのウエハプロセス開発 ・化合物半導体(GaN系)のプロセス要素技術開発(成膜、エッチング、不純物拡散、電極形成など) ・パワーGaNトランジスタの製造プロセス開発(電極構造の形成、共振器構造の形成など) ・パワーGaNトランジスタのデバイス特性評価
