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【岐阜】薄膜製品の製造技術・製造管理

年収599万円 - 1284万円
勤務地岐阜県

■職務内容 成膜工程(スパッタ成膜および蒸着成膜)、フォトリソ工程、剥離・洗浄工程などの工程改善・管理業務。 ・各工程のプロセスの見直し、改善提案、歩留まり改善 ・工程異常、クレーム等の原因調査や分析 ・各工程の自動化の提案、設備の提案・設計・立ち上げ ・部下やスタッフへの指導、マネジメント業務 【担当製品】 セラミック薄膜製品 【この仕事の面白さ・魅力】 受注量や生産量が増加する中で、設備導入や歩留まり向上などの工程改善、プロセス改善が重要となってきています。ご経験を活かし、新しい視点から工程改善に取り組んでいただくことができます

【岐阜】技術系オープンポジション

年収430万円 - 1100万円
勤務地岐阜県

■概要:以下(1)~(5)のいずれかの業務にご経験・適性・実績に応じてご担当頂きます。 (1)開発設計:次世代ICパッケージ基板の共同開発・商品開発・工程設計 (2)要素技術:次世代ICパッケージ基板量産に向けたプロセス開発 (3)生産技術:生産設備・システム・工場UTYの仕様検討・導入 (4)製造技術:ICパッケージ基板製造における生産性改善・歩留り改善 (5)品質管理:ICパッケージ基板の品質保証 / 管理及びデータ解析 【イビデンの魅力】 • 未来を見据えた異次元の設備投資 2026年度からの3年間で電子事業に総額約5,000億円の設備投資を実施。売上規模を大幅に上回る果敢な投資により、2028年度に向けて生産能力を現在の2.5倍へと引き上げます。最新鋭スマート工場の立ち上げなど、技術者として世界トップクラスの環境で一世一代の大規模プロジェクトに携わることができます。 • 世界トップ企業(Intel・NVIDIA等)との共同設計(コ・デザイン) 単なる受託製造にとどまらず、IntelやNVIDIA、TSMCといったグローバルリーダーの次世代製品開発の初期段階から技術者が参画します。開発から共同で行う「コ・デザイン」を通じて、当社の技術がそのまま世界の標準規格(デファクトスタンダード)となり、対等なパートナーとして世界をリードできます。 • 2030年「売上1兆円」へ向けた圧倒的な「成長性」 生成AIの爆発的普及を背景に、電子事業を牽引役に急成長を続けています。2025年度の売上高4,162億円・営業利益620億円から、2030年度には売上高1兆円以上・営業利益3,000億円以上(営業利益率30%)を目指す明確な長期ビジョンを掲げており、極めて高い将来性と事業拡大の推進力を備えています。 • 競合を寄せ付けない圧倒的な「技術力・品質」 髪の毛の数分の1以下の極細配線を15〜20層以上重ね合わせる微細多層配線技術や、激しい発熱でも歪まない究極の平坦性制御により、AIサーバー向け最先端ICパッケージ基板で世界最高峰の品質を誇ります。数百におよぶ複雑な工程において高い歩留まり(良品率)で安定量産できる生産技術力は、他社の追随を許さない絶対的な強みです。 【大垣市の魅力】 田舎過ぎず都会過ぎず、どちらの楽しみ方もできることから近年は移住者に人気の地域となっており、住みよさランキングでも全国で上位にランクインしています。 ・都市部への交通アクセス良好   イビデンが多くの事業場を置く岐阜県大垣市は自然豊かな土地でありながら   名古屋までは30分、大阪へも90分というアクセス環境も非常に良い土地です。 ・物価も安く、生活しやすい環境   2LDKの賃貸物件の家賃では、名古屋市全区の平均値が9.8万円で、大垣市は5.8万円   商店街から大型店舗まで充実しており、ショッピングモールも数多くあります ・子育て支援が充実   高校生世代まで通院と入院にかかる医療費(自己負担相当額)助成(所得制限なし)   保育園・幼保園・留守家庭児童教室・病児保育など預け先も充実しています

【兵庫】化合物半導体のプロセス開発エンジニア(GaN/SiC)

年収450万円 - 1200万円
勤務地兵庫県

【仕事内容】 弊社では、Si半導体に代わるGaN/SiCパワー半導体の研究開発を推進しております。 当部門は株式会社東芝の研究開発センターや、各拠点、各部署と連携しながら、設計要求・開発計画に基づき、当部門でプロセスインテグレーション、ユニットプロセス、材料(エピ)開発を行っています。 半導体エンジニアとして最先端の技術領域に取り組まれたい方に是非ご応募をいただけますと幸いです。 【募集背景】 東芝は創業以来140年以上もの長きに亘り、一貫して独自の技術開発を行い、その技術力で社会を、日本を、そして世界を豊かにしてきた企業です。 これまで積み重ねてきた「ものづくり」企業としての実績、信頼と実力を武器に、新たな時代の主役になっていくべく、事業運営・組織体制の強化が求められています。 カーボンニュートラルな未来、CO2削減に向け、消費電力効率改善に貢献するSiパワー半導体。これに変わる化合物材料(GaN/SiC)デバイスの需要拡大が見込まれます。 その中でGaNパワーデバイス事業では、早期立ち上げ・拡大を目指し、製品・プロセス・材料の開発を牽引する人材を求めています。 また、次世代SiCデバイス(トレンチMOSFET,SJ-MOS等)のデバイス設計、プロセスインテグレーション、ユニットプロセス開発、SiCデバイスの大口径化に適したウェーハ製造(エピタキシャル成長)プロセス・装置の開発を担当する人材を募集しております。

【石川】パワー半導体のデバイス設計・プロセスインテグレーションエンジニア

年収450万円 - 1200万円
勤務地石川県

【仕事内容】 デバイス開発部に所属いただき、MOSFETやIGBT等のパワー半導体デバイスの新規開発において、製品毎に6~8名のチームを組み、以下業務をお任せいたします。 ・半導体のプロセスインテグレーション、デバイス技術 ・評価分析 ・プロセスシミュレーション(TCAD) 1プロダクト2~3年ベースで開発を行っており、週一度の製品定例ミーティングを行い、1週間でPDCAを回しています。 パワー半導体は開発の規模感が大きすぎないからこそ、製品開発~量産立ち上げまで見渡すことができ、エンジニアとして確実にキャリアアップできる環境が整っています。 【募集背景】 東芝は創業以来140年以上もの長きに亘り、一貫して独自の技術開発を行い、その技術力で社会を、日本を、そして世界を豊かにしてきた企業です。 これまで積み重ねてきた「ものづくり」企業としての実績、信頼と実力を武器に、新たな時代の主役になっていくべく、事業運営・組織体制の強化が求められています。 電力を供給、制御する役目を果たす半導体のパワーデバイスは、あらゆる電気機器の省エネルギー化に不可欠なデバイスであり、自動車の電動化や産業機器の自動化などを背景に、今後も継続的な需要拡大が見込まれています。 当社はこれまで、加賀東芝を中心に、200mmウエハー対応の製造ラインの生産能力を増強してきました。今回、同社の既存建屋における200mmウエハー対応のクリーンルーム内に、300mmウエハー対応の製造ラインを敷設し、低耐圧MOSFET、IGBTの生産能力を増強するに伴いプロセスインテグレーション技術者を募集します。

【兵庫】ディスクリート半導体のプロセス開発エンジニア

年収450万円 - 1200万円
勤務地兵庫県

【仕事内容】 ディスクリート半導体(特にパワーデバイス)に関する、 ・パワーデバイスのプロセス開発、装置開発 【募集背景】 東芝は創業以来140年以上もの長きに亘り、一貫して独自の技術開発を行い、その技術力で社会を、日本を、そして世界を豊かにしてきた企業です。 これまで積み重ねてきた「ものづくり」企業としての実績、信頼と実力を武器に、新たな時代の主役になっていくべく、事業運営・組織体制の強化が求められています。 電力を供給、制御する役目を果たす半導体のパワーデバイスは、あらゆる電気機器の省エネルギー化に不可欠なデバイスであり、自動車の電動化や産業機器の自動化などを背景に、今後も継続的な需要拡大が見込まれています。 当社はこれまで、加賀東芝を中心に、200mmウエハー対応の製造ラインの生産能力を増強してきました。今回、同社の既存建屋における200mmウエハー対応のクリーンルーム内に、300mmウエハー対応の製造ラインを敷設し、低耐圧MOSFET、IGBTの生産能力を増強します。 これに伴い即戦力となる方を募集します。 ①300mmウエハー対応の製造ラインの構築、および新製品に対応した新規プロセス・装置を開発する人材。 ②化合物半導体の大口径化に適したウェーハ製造プロセス・装置を開発する人材。

【兵庫】化合物半導体のプロセス開発エンジニア(GaN/SiC)

年収450万円 - 1200万円
勤務地兵庫県

【仕事内容】 弊社では、Si半導体に代わるGaNパワー半導体の研究開発を推進しております。 株式会社東芝の研究開発センターや、各拠点、各部署と連携しながら、半導体エンジニアとして最先端の技術領域に取り組まれたい方に是非ご応募をいただけますと幸いです。 川崎:デバイス開発とプロセスインテグレーション 姫路:エピタキシャルプロセス、プロセス開発 【募集背景】 東芝は創業以来140年以上もの長きに亘り、一貫して独自の技術開発を行い、その技術力で社会を、日本を、そして世界を豊かにしてきた企業です。 これまで積み重ねてきた「ものづくり」企業としての実績、信頼と実力を武器に、新たな時代の主役になっていくべく、事業運営・組織体制の強化が求められています。 カーボンニュートラルな未来、CO2削減に向け、消費電力効率改善に貢献するSiパワー半導体。これに変わる化合物材料(GaN/SiC)デバイスの需要拡大が見込まれます。 その中でGaNパワーデバイス事業では、早期立ち上げ・拡大を目指し、製品・プロセス・材料の開発を牽引する人材を求めています。 また、次世代SiCデバイス(トレンチMOSFET,SJ-MOS等)のデバイス設計、プロセスインテグレーション、ユニットプロセス開発、SiCデバイスの大口径化に適したウェーハ製造(エピタキシャル成長)プロセス・装置の開発を担当する人材を募集しております。

【石川】パワー半導体のユニットプロセス開発エンジニア

年収450万円 - 1200万円
勤務地石川県

【仕事内容】 MOSFETやIGBT等のSiパワー半導体デバイスのユニットプロセス(成膜プロセス、リソグラフィ、ドライエッチング/ウェットエッチング、イオン注入など)の開発を進めていただきます。 各工程毎にチーム編成してそれぞれのプロセスで専門家集団を形成して業務を進めています。 各チームでリーダーシップを発揮して開発を牽引していただける人財を求めており、お任せする工程はこれまでのご経験をお伺いしたうえでご相談いたします。 【募集背景】 東芝は創業以来140年以上もの長きに亘り、一貫して独自の技術開発を行い、その技術力で社会を、日本を、そして世界を豊かにしてきた企業です。 これまで積み重ねてきた「ものづくり」企業としての実績、信頼と実力を武器に、新たな時代の主役になっていくべく、事業運営・組織体制の強化が求められています。 電力を供給、制御する役目を果たす半導体のパワーデバイスは、あらゆる電気機器の省エネルギー化に不可欠なデバイスであり、自動車の電動化や産業機器の自動化などを背景に、今後も継続的な需要拡大が見込まれています。 当社はこれまで、加賀東芝を中心に、200mmウエハー対応の製造ラインの生産能力を増強してきました。今回、同社の既存建屋における200mmウエハー対応のクリーンルーム内に、300mmウエハー対応の製造ラインを敷設し、低耐圧MOSFET、IGBTの生産能力を増強します。 それに伴い300mmウエハー対応の新製造ラインの構築、および新製品に対応した新規プロセス・装置を開発する人材や、化合物半導体の大口径化に適したウェーハ製造プロセス・装置を開発する人材を募集します。

【石川】パワー半導体のデバイス設計・プロセスインテグレーションエンジニア

年収450万円 - 1200万円
勤務地石川県

【仕事内容】 デバイス開発部に所属いただき、MOSFETやIGBT等のパワー半導体デバイスの新規開発において、製品毎に6~8名のチームを組み、以下業務をお任せいたします。 ・半導体のプロセスインテグレーション、デバイス技術 ・評価分析 ・プロセスシミュレーション(TCAD) 1プロダクト2~3年ベースで開発を行っており、週一度の製品定例ミーティングを行い、1週間でPDCAを回しています。 パワー半導体は開発の規模感が大きすぎないからこそ、製品開発~量産立ち上げまで見渡すことができ、エンジニアとして確実にキャリアアップできる環境が整っています。 【募集背景】 東芝は創業以来140年以上もの長きに亘り、一貫して独自の技術開発を行い、その技術力で社会を、日本を、そして世界を豊かにしてきた企業です。 これまで積み重ねてきた「ものづくり」企業としての実績、信頼と実力を武器に、新たな時代の主役になっていくべく、事業運営・組織体制の強化が求められています。 電力を供給、制御する役目を果たす半導体のパワーデバイスは、あらゆる電気機器の省エネルギー化に不可欠なデバイスであり、自動車の電動化や産業機器の自動化などを背景に、今後も継続的な需要拡大が見込まれています。 当社はこれまで、加賀東芝を中心に、200mmウエハー対応の製造ラインの生産能力を増強してきました。今回、同社の既存建屋における200mmウエハー対応のクリーンルーム内に、300mmウエハー対応の製造ラインを敷設し、低耐圧MOSFET、IGBTの生産能力を増強すること伴いプロセスインテグレーション技術者を募集します。

【滋賀】プロセス技術(プリント基板向け露光装置、検査装置、新規プロセス)リーダー

年収883万円 - 960万円
勤務地滋賀県

【職務】PE担当製品の開発や評価、新規プロセスの開発や評価を担当いただきます。 (1)プリント基板露光装置・検査装置を使った評価やユーザ対応(特殊案件を中心に)を通じ、販促受注につなげる。 【仕事内容】 プリント基板業界向けの露光装置、検査装置の仕様や取り扱いを理解し、顧客への販促を兼ねた評価実験や最適化条件出しと装置仕様(改良等)の提案業務をしていただきます。プロセス技術のユーザ対応は、特殊案件を担当いただく傾向があります。直接装置説明・デモ操作を通じ、最適な条件出しだけに留まらず、機能向上開発提案を積極的に行っていただきます。 (2)プリント基板露光・検査装置、新規装置開発への参画 【仕事内容】 プリント基板露光・検査装置の新しい機種開発や開発プロジェクトへの参画。プロセス技術者として、仕様検討や方向性まとめ、開発試作装置の評価を実行していただきます。開発担当した装置では、顧客納入先(国内外)へ出向いて説明や客先評価もしていただきます。新規装置開発では、知見を活かした積極的な提案や意見を出していただくと共に、自ら新規提案もしていただく事を期待します。 (変更の範囲)開発、技術、製造、営業、サービス、管理に関する業務等

【京都】車載用ミックスドシグナルLSIの半導体プロセス開発・量産化技術構築

年収550万円 - 1150万円
勤務地京都府

■募集背景 当部門では、モータドライバやバッテリマネージメントシステム(BMS)など、電気自動車(EV)や自動運転化で需要が急増している「ミックスドシグナルLSI」の微細半導体プロセス開発を担っています。 製品の付加価値を決定づけるデバイス構造やプロセスの構築において、技術的な知見を活かし、国内外の委託先と連携してプロジェクトを推進いただける方を求めています。 ■仕事の内容 ミックスドシグナルLSIデバイスにおけるSi微細半導体プロセス技術の開発、および量産化に向けた技術構築をお任せします。 <主な業務詳細> ○量産プロセスの開発・提案 製品設計部門からの要求スペックに基づき、最適なデバイス構造やプロセスフローの技術提案を行います。要望特性を安定的に実現し、歩留まりを維持できる量産プロセスの確立を目指します。 ○製造委託先との連携・構築 国内外のファウンドリ(製造委託先)のベンチマークを実施。最適なパートナーを見極め、密な連携を通じて短期間で安定した量産ラインを構築します。 ■この仕事の魅力 <最先端技術への挑戦> モータドライバや車載用デバイスなど、アナログとデジタルが混在する高度なミックスドシグナル技術に携わることができます。 <グローバルな活躍フィールド> 国内のみならず、海外の製造委託先との業務推進を通じて、グローバルな視点でのプロセスエンジニアリング経験を積むことが可能です。